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TECHNIQUE TO CREATE A BURIED PLATE IN EMBEDDED DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
Ashima B Chakravarti, Jacob B Dadson,Paul J Higgins, Babar A Khan, John J Moore, Christopher C Parks,Rohit Takalkar
mag（2012）
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A 0.039um(2) High Performance Edram Cell Based on 32nm High-K/Metal Soi Technology
N. Butt,K. Mcstay,A. Cestero,H. Ho,W. Kong,S. Fang,R. Krishnan,B. Khan, A. Tessier, W. Davies,S. Lee, Y. Zhang,J. Johnson, S. Rombawa,R. Takalkar,A. Blauberg,K. V. Hawkins, J. Liu,S. Rosenblatt,P. Goyal, S. Gupta,J. Ervin, Z. Li, S. Galis,J. Barth, M. Yin, T. Weaver, J. H. Li,S. Narasimha,P. Parries,W. K. Henson,N. Robson,T. Kirihata,M. Chudzik,E. Maciejewski,P. Agnello,S. Stiffler,S. S. Iyer
2010 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - TECHNICAL DIGEST (2010)
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