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High-Performance 45nm Node CMOS Transistors Featuring Flash Lamp Annealing (FLA)
T. Sanuki, T. Iwamoto, K. Ota,T. Komoda, H. Yamazaki,A. Eiho,K. Miyagi, K. Nakayama, O. Fuji,M. Togo,K. Ohno, H. Yoshimura, K. Yoshida, T. Ito,A. Mineji, K. Yoshino,T. Itani,K. Matsuo, T. Sato, S. Mori, K. Nakazawa, M. Nakazawa,T. Shinyama,K. Suguro,I. Mizushima,S. Iwasa,S. Muramatsu,K. Nagaoka, M. Ikeda, M. Saito, H. Naruse,Y. Enomoto, T. Kitano,M. Iwai, K. Imai,N. Nagashima,T. Kuwata,F. Matsuoka
2007 IEEE International Electron Devices Meeting（2007）
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Scalable eSiGe S/D Technology with Less Layout Dependence for 45-nm Generation
K. Ota,T. Sanuki,K. Yahashi,Y. Miyanami, K. Matsuo, J. Idebuchi, M. Moriya, K. Nakayama, R. Yamaguchi,Hiroyasu Tanaka,T. Yamazaki, S. Terauchi, A. Horiuchi,Shigeru Fujita,Ichiro Mizushima, H. Yamasaki,K. Nagaoka,A. Oishi,Y. Takegawa, K. Ohno,M. Iwai, Masanobu Saito,Fumiyoshi Matsuoka,Naoki Nagashima
symposium on vlsi technologypp.64-65, (2006)
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