基本信息
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职业迁徙
个人简介
主要研究领域是新型功率器件和智能功率集成电路。指导博士生和硕士生五十余名,鉴定科技成果12项,获国家专利两项,获国家科技进步三等奖,国家发明四等奖、电子部科技进步奖等8项。在IEEE等发表论文四十余篇,被邀为国际杂志《Solid-State Electronics》审稿人。作为课题负责人之一的八·五攻关项目"新型功率MOS器件"于1996年11月获国家计委,国家科委和财政部联合表彰。在IEEE Trans ED(1994,No.12)等中,提出了CLIGBT有非平衡电子抽出的模型和网络模型及模型直接嵌入法。并提出一种具有键合衬底的绝缘栅场效应晶体管(IGBT),此结构可普适于电导型调制功率器件,获发明专利。用国产单晶硅材料取代昂贵的进口外延片制作IGBT。在IEEE Trans. ED(1994,No.12)提出CLIGBT瞬态响应模型。在Solid-State Electron(1991,No.3)提出功率MOS晶体管热特性分析的全热程电热模型。在Solid-State Electron(2000,No.1)中提出电导调制型功率器件的非平衡载流子非准静态抽出模型。在ICCCAS(2002 June)提出了SOI高压横向器件的新结构及其界面电荷耐压模型。
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论文共 797 篇作者统计合作学者相似作者
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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 1 (2024): 431-439
Microelectronics Journal (2023): 105669-105669
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 12 (2023): 6486-6491
IEEE Electron Device Lettersno. 10 (2023): 1708-1711
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IEEE Transactions on Electron Devicesno. 4 (2023): 1843-1848
IEEE Transactions on Power Electronicsno. 8 (2023): 9347-9350
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IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERSno. 5 (2023): 2215-2227
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 2 (2023): 662-666
JOURNAL OF SEMICONDUCTORSno. 8 (2023)
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