基本信息
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职业迁徙
个人简介
乔明,博士,教授,博士生导师。
获2010国家科技进步二等奖(排名第3),2016四川省科技进步一等奖(排名第2),2014教育部自然科学二等奖(排名第3),2009四川省科技进步一等奖(排名第3),获第三届“中国电子学会优秀科技工作者”称号。
以第一发明人授权美国专利1项,以第一发明人授权中国发明专利54项。
在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、IEEE ISPSD等发表论文90余篇,SCI收录46篇。其中在功率半导体领域顶级国际学术会议IEEE ISPSD上发表论文13篇(含6篇大会报告)。
获2010国家科技进步二等奖(排名第3),2016四川省科技进步一等奖(排名第2),2014教育部自然科学二等奖(排名第3),2009四川省科技进步一等奖(排名第3),获第三届“中国电子学会优秀科技工作者”称号。
以第一发明人授权美国专利1项,以第一发明人授权中国发明专利54项。
在IEEE EDL、IEEE T-ED、APL、IEEE ISPSD等发表论文90余篇,SCI收录46篇。其中在功率半导体领域顶级国际学术会议IEEE ISPSD上发表论文13篇(含6篇大会报告)。
研究兴趣
论文共 249 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
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主题
期刊级别
合作者
合作机构
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 1 (2024): 431-439
IEEE Electron Device Lettersno. 99 (2024): 1-1
Microelectronics Journal (2023): 105669-105669
IEEE Electron Device Lettersno. 10 (2023): 1708-1711
引用0浏览0EIWOS引用
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2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.171-175, (2023)
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2023 5th International Conference on Radiation Effects of Electronic Devices (ICREED)pp.1-4, (2023)
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 4 (2023): 1843-1848
2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.219-222, (2023)
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2023 35th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.254-257, (2023)
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合作机构
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