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个人简介
周琦
专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究,尤其在氮化镓(GaN)功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN(GaN-on-Si)栅控横向功率整流器新结构,器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术,利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能达到国际领先水平。
专注于第三代宽禁带新型半导体材料、器件及其集成技术的研究,尤其在氮化镓(GaN)功率器件新结构、模型/器件物理、先进制备工艺与GaN功率集成技术领域具有较好的研究基础。开发出一款硅基GaN(GaN-on-Si)栅控横向功率整流器新结构,器件性能达到国际报道的同类器件最高水平。开发出一种高效、低损伤原子层刻蚀技术,利用该技术制备的增强型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能达到国际领先水平。
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Haochen Wang,Kuangli Chen, Ning Yang, Jianggen Zhu, Enchuan Duan, Shuting Huang,Yishang Zhao,Bo Zhang,Qi Zhou
ELECTRONICSno. 4 (2024): 729
IEEE Trans. Instrum. Meas. (2023): 1-11
引用1浏览0EIWOS引用
1
0
I2MTCpp.1-6, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
0
0
JOURNAL OF SEMICONDUCTORSno. 8 (2023)
引用0浏览0引用
0
0
2023 IEEE 16th International Conference on Electronic Measurement & Instruments (ICEMI)pp.433-438, (2023)
引用0浏览0EIWOS引用
0
0
Journal of Semiconductorsno. 8 (2023): 082801-082801
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