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New Insights Using Avalanche Mode for On-wafer Evaluation of SiC Diodes Technology and Design Ruggedness
Ahmad Abbas, Cyrille Le Royer, Romain Lavieville, Saliou Gningue, Rihab Chouk,Jerome Biscarrat,Edwige Bano,Philippe Godignon
2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.176-179, (2024)
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Breakdown Voltage Capability of Vertical 4h–sic Power Devices
Philippe Godignon,Jérôme Biscarrat, Miya Tranchesset, Romain Lavieville,Dominique Tournier,Pierre Brosselard,Josep Montserrat
Materials Science in Semiconductor Processing (2024): 108347
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Towards the understanding of the Ti/Al ratio role in solid-state reaction for ohmic contacts on n-GaN
S. Guillemin,S. Messaoudene,P. Gergaud,J. Biscarrat, P. Roulet,N. Bernier,R. Templier, R. Souil, X. Zucchi,Ph. Rodriguez
Materials Science in Semiconductor Processing (2023): 107342-107342
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Deep Insights into Recessed Gate MOS-HEMT Technology for Power Applications
B. Mohamad, C. Le Royer, F. Rigaud-Minet,C. Piotrowicz,P. Fernandes Paes Pinto Rocha,C. Leurquin,W. Vandendaele,R. Escoffier,J. Buckley,S. Becu,J. Biscarrat,R. Gwoziecki
2023 7TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE, EDTM (2023)
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