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FeRAM using Anti-ferroelectric Capacitors for High-speed and High-density Embedded Memory
S. -C. Chang,N. Haratipour,S. Shivaraman,C. Neumann, S. Atanasov,J. Peck,N. Kabir, I. -C. Tung, H. Liu,B. Krist,A. Oni,S. Sung,B. Doyle, G. Allen, C. Engel, A. Roy,T. Hoff,H. Li, F. Hamzaoglu,R. Bristol,M. Radosavljevic,B. Turkot,M. Metz,I. Young,J. Kavalieros,U. Avci
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.33.2.1-33.2.4, (2021)
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Advancing 2D Monolayer CMOS Through Contact, Channel and Interface Engineering
K. P. O'Brien,C. J. Dorow,A. Penumatcha,K. Maxey,S. Lee,C. H. Naylor, A. Hsiao,B. Holybee,C. Rogan, D. Adams,T. Tronic, S. Ma,A. Oni,A. Sen Gupta,R. Bristol, S. Clendenning,M. Metz,U. Avci
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.7.1.1-7.1.4, (2021)
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