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Highly Enhanced Memory Window of 17.8V in Ferroelectric FET with IGZO Channel Via Introduction of Intermediate Oxygen-Deficient Channel and Gate Interlayer
Sijung Yoo,Donghoon Kim,Duk-Hyun Choe, Hyun Jae Lee, Yunseong Lee,Sanghyun Jo, Yoonsang Park, Ki Hong Kim, Kyooho Jung, Moonil Jung, Kwang-Hee Lee, Jee-Eun Yang, Sangwook Kim,Seung-Geol Nam
Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2024)
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