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Integration of Low Temperature 480℃ SiOCN As Offset Spacer in View of 3D Sequential Integration
C.-M.V. Lu,C. Fenouillet-Béranger, C. Bout,A. Roule,V. Beugin, J. Fort,C. Arvet,N. Posseme,V. Loup,P. Besson,M.-P. Samson,B. Previtali,C. Tabone, A. Michallet,N. Rochat,D. Benoit, F. Pierre,L. Brunet,P. Batude,T. Skotnicki,M. Vinet
Extended Abstracts of the 2016 International Conference on Solid State Devices and Materials (2016)
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A Novel Low Temperature ( < 500 ° C ) and Low-κ ( 3 . 8 ) Boron Nitride PECVD Offset Spacer Featuring 3 D VLSI Integration
C.M.V. Lu, C. Bout,C. Fenouillet-Beranger,A. Roule, M.P. Samson, B. Previtali, C. Arvet, A. Michallet, N. Rochat, S. Favier, R. Kachtouli, V. Loup, P. Besson, M. Garcia-Barros, N. Posseme, F. Pierre, P. Maury, D. Benoit, P. Batude, M. Vinet, T. Skotnicki
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials（2015）
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