长期从事分子束外延（MBE）化合物半导体微结构材料、新型器件和电路的研究工作。

取得的重要科研成果及所获奖励：

“八五”期间在国内首次研制出室温连续激射的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料和具有室温光双稳性能的自电光效应器件材料；“九五”期间研制出具有正入射吸收的长波长量子点红外探测器和新型InAs/GaAsHall器件；“十五”期间研制出最高质量的InPHEMT结构材料，并与器件研制单位合作研制出了振荡频率达150GHz的InP基HEMT器件，完成了分子束外延GaAs和InP基微结构材料的实用化生长技术。