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Algan/Gan Bilateral Impatt Device by Two-Dimensional Electron Gas for Terahertz Application
Yang Dai, Yukun Li, Leiyu Gao, Jing Zuo, Biying Zhang,Cheng Chen,Zhongxu Wang,Wu Zhao
Journal of Applied Physicsno. 15 (2024)
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Effect of Gate Structure on the Performances of Lateral AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Avalanche-Transit-Time Transistor
Yang Dai, Leiyu Gao, Yukun Li, Jing Zuo, Yue Zhang,Wu Zhao
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systemsno. 99 (2024): 1-1
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Study of P-(6H, 4H, 3C)sic/n-Gan Heterojunction SDR, DDR IMPATT Diodes
Yang Dai, Yukun Li, Leiyu Gao, Jing Zuo,Cheng Chen,Zhongxu Wang,Wu Zhao
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systemsno. 99 (2024): 1-1
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