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TCAD Simulation Study of Dual Ferroelectric Gate Field-Effect Transistors with a Recessed Channel Geometry for Non-Volatile Memory Applications
Simin Chen, Dae-Hwan Ahn,Seong Ui An, Tae Hyeon Noh,Younghyun Kim
Journal of the Korean Physical Societypp.1-9, (2024)
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Effect of Source/Drain Electrode Materials on the Electrical Performance and Stability of Amorphous Indium-Tin-Zinc-Oxide Fets
Seong Ui An, Dae-Hwan Ahn, Gijun Ju, Simin Chen, Yo Seop Ji,Jae-Hoon Han,Jaekyun Kim,Younghyun Kim
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 9 (2024): 5437-5442
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Simulation of a Recessed Channel Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor with a Dual Ferroelectric Gate Stack for Memory Application
Simin Chen,Dae-Hwan Ahn,Seong Ui An,Younghyun Kim
2023 7TH IEEE ELECTRON DEVICES TECHNOLOGY & MANUFACTURING CONFERENCE, EDTM (2023)
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