Sandrine Juillaguet - Universite de Montpellier

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Determining by Raman Spectroscopy the Average Thickness and N-layer-specific Surface Coverages of MoS2 Thin Films with Domains Much Smaller Than the Laser Spot Size

Felipe Wasem Klein,Jean-Roch Huntzinger,Vincent Astie,Damien Voiry,Romain Parret, Houssine Makhlouf,Sandrine Juillaguet,Jean -Manuel Decams,Sylvie Contreras,Perine Landois,Ahmed-Azmi Zahab,Jean-Louis Sauvajol,Matthieu Paillet

Beilstein journal of nanotechnology (2024): 279-296

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Direct Liquid Injection Pulsed-Pressure MOCVD of Large Area MoS2 on Si/SiO2

Vincent Astié, Felipe Wasem Klein, Houssin Makhlouf,Matthieu Paillet,Jean-Roch Huntzinger,Jean-Louis Sauvajol,Ahmed-Azmi Zahab,Sandrine Juillaguet,Sylvie Contreras,Damien Voiry,Périne Landois,Jean-Manuel Decams

Physical chemistry chemical physics PCCPno. 40 (2024): 25772-25779

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Al-Rich AlGaN Channel High Electron Mobility Transistors on Silicon: A Relevant Approach for High Temperature Stability of Electron Mobility

Julien Bassaler,Jash Mehta,Idriss Abid, Leszek Konczewicz,Sandrine Juillaguet, Sylvie Contreras, Stephanie Rennesson,Sebastian Tamariz, Maud Nemoz,Fabrice Semond,Julien Pernot, Farid Medjdoub,Yvon Cordier,Philippe Ferrandis

ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS (2024)

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Low‐Temperature Electrical Transport Properties of Molecular Beam Epitaxy‐Grown Mg‐Doped GaN Subjected to a High‐Temperature Annealing Process

Leszek Konczewicz,Sandrine Juillaguet,Marcin Zajac,Elzbieta Litwin-Staszewska,Mohamed Al Khalfioui,Mathieu Leroux,Benjamin Damilano,Julien Brault,Sylvie Contreras

Physica status solidi A, Applications and materials scienceno. 16 (2023)

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Synthesis and Characterization of Aluminum Doped Zinc Oxide Nanoparticles Via a Novel and Low Cost Aqueous Chemical Process

A. Moussa Tankari,K. Medjnoun,M. Nouiri,O. Briot,S. Juillaguet,H. Peyre,M. Belaqziz,K. Djessas

Materials letters (2023): 135230-135230

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Genèse, contenu et perspectives d'un module expérimental d'éducation à la transition écologique à la Faculté des Sciences de l'université de Montpellier

Olivier Arnould,Sandrine Bardet,Jean-Louis Bantigniès, Adéline Barnaud, I. Bentaleb,Patrick Cañadas,Boris Chenaud,Christophe Coillot,Sylvie Contreras, Jean‐François Dubé,Pierre Ganault,Thierry Guillet, Agnieszka Jeziorski, Sylvie Jouan,Sandrine Juillaguet,Périne Landois,Simon Le Floc’h,Hervé Louche,Virginie Maris, Fabien Michel,Christophe Peugeot,Florence Rodhain,Antoine Tiberj, Thibault Turchet,Pierre Valvin, J. L. Verdeil

HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe) (2023)

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Large Inverted Band Gap in Strained Three-Layer InAs/GaInSb Quantum Wells

C. Avogadri,S. Gebert,S. S. Krishtopenko,I Castillo,C. Consejo,S. Ruffenach, C. Roblin,C. Bray,Y. Krupko,S. Juillaguet,S. Contreras,A. Wolf,F. Hartmann,S. Hoefling,G. Boissier,J-B Rodriguez,S. Nanot,E. Tournie,F. Teppe,B. Jouault

PHYSICAL REVIEW RESEARCHno. 4 (2022)

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Negative Magnetoresistivity in Highly Doped N-Type GaN

Leszek Konczewicz,Malgorzata Iwinska,Elzbieta Litwin-Staszewska,Marcin Zajac,Henryk Turski,Michal Bockowski,Dario Schiavon,Mikolaj Chlipala,Sandrine Juillaguet,Sylvie Contreras

Materialsno. 20 (2022): 7069-7069

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Electrical Transport Properties of Highly Doped N-type GaN Materials

L. Konczewicz,E. Litwin-Staszewska,M. Zajac,H. Turski,M. Bockowski,D. Schiavon,M. Chlipala,M. Iwinska, P. Nita,S. Juillaguet,S. Contreras

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY（2022）

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P-Type Conductivity in GaN:Zn Monocrystals Grown by Ammonothermal Method

M. Zajac,L. Konczewicz,E. Litwin-Staszewska,M. Iwinska,R. Kucharski,S. Juillaguet,S. Contreras

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（2021）

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