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高性能300mm Si基板上に作製したIn_0In0.53Ga_0Ga0.47As FinFET【Powered by NICT】
Min-Fa Huang, Sung-Chieh Chang,M K Chen, Yusuke Oniki,H C Chen, C H Lin, W C Lee,M A Khaderbad, K Y Lee, Z C Chen, Pei-Fen Tsai, Li Lin, Meng-Hsiu Tsai, Chih‐Chien Hung, Tao Huang, Yuh-Dong Lin,Yeo Y.-C., Sunmin Jang, Hee-seung Hwang, Wang Howard C.-H.,H Diaz Carlos
IEEE Conference Proceedings (2016): 1-2
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In0.53Ga0.47As MOSFETs with high channel mobility and gate stack quality fabricated on 300 mm Si substrate
M. L. Huang, S. W. Chang,M. K. Chen,C. H. Fan,H. T. Lin,C. H. Lin,R. L. Chu, K. Y. Lee,M. A. Khaderbad, Z. C. Chen,C. H. Lin, C. H. Chen, L. T. Lin,H. J. Lin,H. C. Chang, C. L. Yang,Y. K. Leung,Y.-C. Yeo,S. M. Jang, H. Y. Hwang,Carlos H. Diaz
2015 Symposium on VLSI Technology (VLSI Technology)pp.T204-T205, (2015)
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