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Enhancing Key Performance of Vertical GaN Schottky Barrier Diodes Through AlOxInsertion and Dual Ion Co-Implantation
Bo Li,Zhengweng Ma,Linfei Gao, Junfa Mao,Wenrong Zhuang, Quanchun Li,Bo Zhang,Renqiang Zhu,Jingbo Li,Xinke Liu
2024 36th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)pp.252-254, (2024)
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Stability of GaN HEMT Device under Static and Dynamic Gate Stress
Linfei Gao, Ze Zhong, Qiyan Zhang,Xiaohua Li,Xinbo Xiong,Shaojun Chen,Longkou Chen, Huaibao Yan, Anle Zhang,Jiajun Han,Wenrong Zhuang, Feng Qiu,Hsien-Chin Chiu,Shuangwu Huang,Xinke Liu
IEEE JOURNAL OF THE ELECTRON DEVICES SOCIETY (2024): 165-169
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Gate Circuit improves p-GaN HEMT VTH reliability
Xinke Liu, Zengfa Chen, Ze Zhong, Qiyan Zhang,Xiaobo Li, Feng Qiu, Yong Xu,Wenrong Zhuang,Longkou Chen,Shuangwu Huang,Linfei Gao
PCIM Asia 2023; International Exhibition and Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Managementpp.334-341, (2023)
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