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Improved Trap-Related Characteristics On Sinx/Algan/Gan Mishemts With Surface Treatment
Yu-Syuan Lin,King-Yuen Wong,G. P. Lansbergen, J. L. Yu,C. J. Yu,C. W. Hsiung, H. C. Chiu, S. D. Liu,P. C. Chen,F. W. Yao,R. Y. Su, C. Y. Chou, C. Y. Tsai,F. J. Yang,C. L. Tsai, C. S. Tsai,X. Chen,H. C. Tuan,Alex Kalnitsky
Power Semiconductor Devices & IC'spp.293-296, (2014)
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GaN DモードMISHEMTにおける閾値電圧ドリフト(PBTI):高速トラップ成分の特性評価
G P Lansbergen,K. Y. Wong,Yu-Syuan Lin, J. L. Yu,F. J. Yang, C. L. Tsai, A S Oates
international reliability physics symposiumpp.649-654, (2014)
引用0浏览0引用
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Design of 700V LIGBT with the Suppressed Substrate Current in a 0.5um Junction Isolated Technology
R. Y. Su,C. C. Cheng,K. H. Huo,F. J. Yang,J. L. Tsai,R. S. Liou,H. C. Tuan
International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC'spp.221-224, (2012)
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