基本信息
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职业迁徙
个人简介
2003年4月起,吴洁君就开始从事氮化物半导体材料、器件的研究、MOCVD及HVPE生长技术研究及国产设备开发,主持并参与了国家863 课题、国家973项目和国家自然科学基金等多项国家重大课题研究,在2-4英寸GaN单晶衬底研制及量产化技术;HVPE生长GaN厚膜和AlN厚膜的工艺特性与生长机制;非极性面氮化物HVPE生长;硅基MOCVD生长无裂纹GaN基器件等方面均开展了深入的研究,发表相关的SCI论文数十篇,获得授权和申请的国家发明专利数十项。此前,她还曾获国防科工委的国防科学技术二等奖(2001GF2069-5,排名5),航空工业总公司的航空科学技术奖一等奖(20011137,排名5)和三等奖(20001061,排名1)。
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论文共 164 篇作者统计合作学者相似作者
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合作机构
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGYno. 2 (2024)
CrystEngCommno. 9 (2022): 1719-1724
J. Chen,J. L. Lou,Y. L. Ye,Z. H. Li, D. Y. Pang,C. X. Yuan,Y. C. Ge,Q. T. Li, H. Hua,D. X. Jiang, X., F. Yang,
semanticscholar(2021)
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Physical Review Cno. 2 (2021)
H. Watanabe,C.X. Yuan,G. Lorusso, S. Nishimura,Z.Y. Xu, T. Sumikama,P.-A. Söderström,P. Doornenbal, F. Browne, G. Gey, H.S. Jung,J. Taprogge,
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