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Alternative Measurement Approach for the Evaluation of Hot-Electron Degradation in P-Gan Gate AlGaN/GaN Power HEMTs

Marcello Cioni,Giovanni Giorgino,Alessandro Chini,Antonino Parisi, Giacomo Cappellini,Cristina Miccoli,Maria Eloisa Castagna,Cristina Tringali,Ferdinando Iucolano

Electronic Materials（2024）

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关键词

GaN,HEMTs,hot-electrons,drift,-degradation

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