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Influence of Rapid Thermal Annealing Temperature on the Photoluminescence of Tb Ions Embedded in Silicon Nitride Films

M. M. Klak,G. Zatryb,L. W. Golacki,P. Benzo,C. Labbe,J. Cardin,J. Misiewicz,F. Gourbilleau,A. Podhorodecki

Thin Solid Films（2019）

引用 2|浏览35

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关键词

Terbium,Silicon,Nitride,Excitation,Lifetime,Defects

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