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Highly Robust All-Oxide Transistors with Ultrathin In2O3 As Channel and Thick In2O3 As Metal Gate Towards Vertical Logic and Memory
Z. Lin, Z. Zhang, C. Niu,H. Dou, K. Xu, M. Islam, J.-Y. Lin, C. Sung, M. Hong,Daewon Ha, H. Wang,M. A. Alam,P. D. Ye
Symposium on VLSI Technologypp.1-2, (2024)
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Record-Low Metal to Semiconductor Contact Resistance in Atomic-Layer-Deposited In2O3 TFTs Reaching the Quantum Limit
C. Niu,Z. Lin,Z. Zhang, P. Tan,M. Si,Z. Shang, Y. Zhang,H. Wang,P. D. Ye
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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Fluorine Anion-Doped Ultra-Thin InGaO Transistors Overcoming Mobility-Stability Trade-off
J. Zhang,Z. Zhang,H. Dou,Z. Lin, K. Xu, W. Yang, X. Zhang,H. Wang,P. D. Ye
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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First Determination of Thermal Resistance and Thermal Capacitance of Atomic-Layer-Deposited In2O3 Transistors
J.-Y. Lin,Z. Zhang,S. Alajlouni,P.-Y. Liao,Z. Lin, C. Niu,A. Shakouri,P. D. Ye
2023 International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.1-4, (2023)
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