曾多年在美国IBM国际半导体研发联盟/Globalfoundries公司，（日本）东京大学从事先进集成电路器件与工艺方面的研究，在以下几个研究方向取得了突出成果：1）高性能锗，应力硅CMOS器件；2）用于先进CMOS器件的高介电常数（k）栅极介质；3）CMOS器件与工艺的可靠性。已多次在国际电子器件领域的权威会议等权威杂志上发表文章多篇。 2012年入选中组部“青年千人计划”，全职回国后，已在新沟道材料尤其是Ge和III-V族化合物沟道CMOS器件和工艺领域开展了大量的工作。