现为南京大学电子科学与工程学院教授、博士生导师。2000年,毕业于中国科学技术大学，获理学博士学位。曾留学日本电气通信大学，先后在香港中文大学、美国Grinnell大学等访问研究。主要从事基于III族氮化物宽带隙半导体衬底材料、生长设备和器件等的研究和应用。近5年，主持/参与863计划、973、国家自然科学基金、国家自然科学基金重大项目、江苏省自然科学基金等项目共10余项。共发表SCI/EI等学术论文80余篇，其中SCI论文60余篇。已获得授权国家发明专利29项（第一发明人12项）。编写论著9部（篇或章或节）。相关研究成果“III族氮化物半导体极化和缺陷研究”获得2010年度“高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）”自然科学奖一等奖，本人排名第二。
研究方向：
1. GaN基Ⅲ族氮化物的衬底材料生长、性质表征和器件以及应用研究； 2. 氢化物气相外延设备的研制与应用； 3. 微纳米氮化物半导体材料与器件研究； 4. 宽带隙自旋半导体材料生长和性质研究。