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Highly Reliable STT-MRAM Adopting Advanced MTJs with Controlled Domain Wall Pinning
J. -H. Park, J. H. Kim, J. M. Kim, J. Kim,D. Apalkov,A. Okada, H. Sato,J. H. Jeong, Y. J. Cho, U. Pi, Y. Kim, Y. S. Park,K. M. Song, K. Kim,D. -E. Jeong, D. S. Kim,C. Kim, I. Kim,K. Lee, S. H. Han,J. H. Lee,Y. J. Song,G. H. Koh,B. J. Kuh,J. M. Lee, J. H. Song
2022 International Electron Devices Meeting (IEDM)（2022）
引用3浏览0EIWOS引用
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28nm CIS-Compatible Embedded STT-MRAM for Frame Buffer Memory
D. S. Kim, J. H. Bak,S. P. Ko,W. C. Lim,H. C. Shin,J. H. Lee, J. H. Park, J. H. Jeong,J. M. Lee, T. Kai, H. Sato, J. W. Lee,K. H. Ryu,Y. J. Kim, S. H. Han,B. Y. Seo,K. S. Suh,H. H. Kim,H. T. Jung,D. H. Jang, N. Y. Ji,M. J. Eom,I. H. Kim,K. Lee,K. H. Hwang,Y. J. Song, H. S. Kim
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)pp.2.1.1-2.1.4, (2021)
引用3浏览0EIWOS引用
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28-Nm 0.08 Mm2/mb Embedded MRAM for Frame Buffer Memory
S. H. Han,J. M. Lee, H. M. Shin,J. H. Lee,K. S. Suh,K. T. Nam,B. S. Kwon,M. K. Cho,J. Lee, J. H. Jeong, J. H. Park, S. C. Oh,S. O. Park,S. H. Hwang,S. Pyo,H. T. Jung, Y. Ji, J. H. Bak, D. S. Kim, W. S. Ham, Y. J. Kim,K. Lee,Y. J. Song,G. H. Koh, Y. G. Hong, G. T. Jeong
2020 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)（2020）
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