杨树，教授，博士生导师。主要从事宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；研制出国际上首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题；提出了针对GaN器件的氮化界面层结构，有效抑制介质/GaN界面陷阱、提升器件可靠性。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、国家重点研发计划课题、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子重点项目、功率半导体企业委托项目等。在IEEE EDL、IEEE T-PEL和功率半导体领域国际会议IEEE ISPSD、IEEE IEDM等发表SCI/EI论文80余篇。担任IEEE EDS Power Devices and ICs技术委员会委员，功率半导体领域顶级会议IEEE ISPSD技术委员会委员（2019~2023），中国电源学会女科学家工作委员会副主任委员，Elsevier Power Electronic Devices and Components联合主编，IEEE JESTPE客座编委。