宿世臣，男，黑龙江人，博士、研究员，博士生导师。2009年于中科院长春光机所发光学与应用国家重点实验室取得博士学位。多年来一直从事ZnO，GaN等宽禁带半导体材料与器件的发光和激光特性的相关研究工作：1.利用分子束外延（MBE），脉冲激光沉积（PLD）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等设备开展了ZnO/ZnMgO量子阱，ZnO薄膜材料和GaN LED的相关的研究工作， 2.量子点（CdSe，ZnO，carbon QD等）发光与显示方面的研究工作，3.激光加工（包括，激光冲击强化，激光打标焊接等）发表相关论文60余篇，引用400多次，申请专利18项。授权6项。目前，已经承担国家自然科学基金青年基金、国家自然科学基金面上项目（2项），中国博士后基金，中国博士后基金特别资助项目，广东省科技计划项目，广州市重大专项，教育部博士点基金、广东省创新人才培养计划、广东省公益研究与能力建设项目，粤港合作项目等科研项目10余项。