Shaoli ZHU(朱少立)关注立即认领分享关注立即认领分享基本信息浏览量:0职业迁徙个人简介暂无内容研究兴趣论文共 5 篇作者统计合作学者相似作者按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选时间引用量主题期刊级别合作者合作机构H型栅PMOS跨导双峰效应建模彭宏伟, 曹梦玲,黄天,王青松,朱少立,徐大为电子科技大学学报(2022)引用0浏览0引用00SOI器件的kink效应研究王青松,彭宏伟,黄天,杨正东,朱少立,徐大为Research & Progress of Solid State Electronicsno. 3 (2022)引用0浏览0引用0090nm浮栅型P-FLASH器件总剂量电离辐射效应研究朱少立, 汤偲愉,刘国柱,曹立超,洪根深,吴建伟,郑若成电子与封装(2018)引用0浏览0引用00一种基于总剂量效应的SOI器件模型快速提取方法李艳艳,顾祥,潘滨,朱少立,吴建伟电子与封装(2015)引用23浏览0引用230总剂量加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响陈海波,吴建伟,李艳艳,谢儒彬,朱少立,顾祥电子与封装(2014)引用1浏览0引用10作者统计合作学者合作机构D-Core合作者学生导师暂无相似学者,你可以通过学者研究领域进行搜索筛选数据免责声明页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果,我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问,可以通过电子邮件方式联系我们:report@aminer.cn