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Modelling the strain build-up in nitrogen implanted tungsten films on silicon substrates
S. Magalhães,R. Mateus,M. Dias,C. Porosnicu,O.G. Pompilian,E. Alves
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms (2023): 81-87
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Extracting Defect Profiles in Ion-Implanted GaN from Ion Channeling
A. Cacador,P. Jozwik,S. Magalhaes,J. G. Marques,E. Wendler,K. Lorenz
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING (2023)
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