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Impact study of the process thermal budget of advanced CMOS nodes on SiGe HBT performance
V.T. Vu,T F Rosenbaum,O. Saxod,D. Celi,Thomas Zimmer,Sebastien Fregonese,P. Chevalier
2015 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting - BCTMpp.76-79, (2015)
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A 55 Nm Triple Gate Oxide 9 Metal Layers SiGe BiCMOS Technology Featuring 320 GHz Ft / 370 GHz Fmax HBT and High-Q Millimeter-Wave Passives
P. Chevalier,G. Avenier,G. Ribes,A. Montagne,E. Canderle,D. Celi,N. Derrier, C. Deglise,C. Durand, T. Quemerais,M. Buczko,D. Gloria,O. Robin, S. Petitdidier,Y. Campidelli, F. Abbate, M. Gros-Jean, L. Berthier,J. D. Chapon,F. Leverd, C. Jenny, C. Richard,O. Gourhant, C. De-Buttet,R. Beneyton, P. Maury,S. Joblot, L. Favennec,M. Guillermet, P. Brun, K. Courouble,K. Haxaire, G. Imbert,E. Gourvest, J. Cossalter,O. Saxod, C. Tavernier,F. Foussadier, B. Ramadout, R. Bianchini, C. Julien, D. Ney,J. Rosa,S. Haendler,Y. Carminati,B. Borot
2014 IEEE International Electron Devices Meeting (2014)
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