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Toward the Development of High-Performance Direct Electron Detectors by Means of TCAD Simulations
O. Marcelot, C. Marcelot,V. Goiffon
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICESno. 4 (2024): 2465-2471
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Analysis Methodology of Deep Trench Isolation Field-Effect Passivation Techniques for Image Sensors Through Dedicated Test Structures
Samuel Tlemsani,Stephane Ricq,Olivier Marcelot,Pierre Magnan
2024 IEEE 36TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONIC TEST STRUCTURES, ICMTS 2024 (2024)
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TCAD Calibration at Cryogenic Temperatures for CMOS Image Sensor Simulations
O. Marcelot, A. Panglosse,P. Martin-Gonthier,V Goiffon
IEEE Transactions on Electron Devices (2022): 6188-6194
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