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Research: (i) nanostructured materials based on SiGe, GeSn, SiGeSn, Ge and Si in dielectric matrices (HfO2, TiO2, Al2O3, SiO2); (ii) structures based on ferroelectric HfO2 and ZrO2: stabilization of ferroelectric phase by HfO2 capping and self-controlled Ge doping under strain in 3-layer structures; nonvolatile memories (NVMs) based on ZrHfO2; (iii) devices: electronic & photoelectric NVMs, optical sensors for monitoring slippery road conditions, VIS-NIR and SWIR sensors & photodetectors.
研究兴趣
论文共 157 篇作者统计合作学者相似作者
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JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY Cno. 10 (2024): 4119-4142
Scientific reportsno. 1 (2024)
ACS APPLIED ELECTRONIC MATERIALSno. 2 (2024): 978-986
2023 International Semiconductor Conference (CAS)pp.259-262, (2023)
2022 International Semiconductor Conference (CAS)pp.231-234, (2022)
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作者统计
#Papers: 157
#Citation: 3132
H-Index: 23
G-Index: 54
Sociability: 6
Diversity: 3
Activity: 48
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