基本信息
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职业迁徙
个人简介
Izumi Hirano received the B.S. and M.S. degrees in physics from Kyoto University, Kyoto, Japan, in 2000 and 2002, respectively.
In 2002, she joined the Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research and Development Center, Toshiba Corporation, Yokohama, Japan, where she has been engaged in research on reliability physics of MISFETs in high- $\kappa$ gate dielectrics.
Ms. Hirano is a member of the Japan Society of Applied Physics.
研究兴趣
论文共 37 篇作者统计合作学者相似作者
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合作机构
mag(2014)
引用23浏览0引用
23
0
2012 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) (2012)
Microelectronic Engineeringno. 11 (2011): 3376-3376
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作者统计
#Papers: 36
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