I. G. Neizvestnyi - Institut of Semiconductor Physics Academy of Sciences of the USSR Sibirian Branch

基本信息

浏览量：28

职业迁徙

个人简介

暂无内容

研究兴趣

论文共 50 篇作者统计合作学者相似作者

按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选

Study of Long-Term Stability of Free-Space Quantum Key Distribution at a Distance of 20 M in a Polarization Coding Scheme

A. S. Pleshkov,A. V. Kolyako,D. B. Tret’yakov,I. I. Ryabtsev,I. G. Neizvestnyi

Optoelectronics, instrumentation, and data processingno. 1 (2024): 84-92

引用0浏览0引用

МДП Транзистор На Основе Пленки PbSnTe : in С Подзатворным Диэлектриком Al-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--=SUP=-*-=/SUP=-

А.Э. Климов,В.А. Голяшов,Д.В. Горшков, Е.В. Матюшенко,И.Г. Неизвестный,Г.Ю. Сидоров,Н.С. Пащин,С.П. Супрун,О.Е. Терещенко

Fizika i tehnika poluprovodnikovno. 2 (2022): 243-243

引用0浏览0引用

КОНСТРУКЦИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРА ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ НА БАЗЕ ЛАВИННОГО ФОТОДИОДА INP / INGAAS / INP ДЛЯ КВАНТОВЫХ КОММУНИКАЦИЙ

В.В. Преображенский,И.Б. Чистохин,М.А. Путято,Н.А. Валишева, Е.А. Емельянов,М.О. Петрушков,А.С. Плешков,И.Г. Неизвестный,И.И. Рябцев,А.В. Латышев

Nanoindustry Russiano. 7s (2021): 727-730

引用0浏览0引用

Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами

А.Э. Климов,А.Н. Акимов,И.О. Ахундов,В.А. Голяшов,Д.В. Горшков,Д.В. Ищенко, Е.В. Матюшенко,И.Г. Неизвестный,Г.Ю. Сидоров,С.П. Супрун,А.С. Тарасов,О.Е. Терещенко,В.С. Эпов

Физика и техника полупроводниковno. 10 (2020)

引用0浏览0引用

Роль реадсорбции в формировании вертикальных нанопроволок A ^III B ^V при самокаталитическом росте

А. Г. Настовьяк, А. Г. Усенкова,Н. Л. Шварц,И. Г. Неизвестный

Микроэлектроникаno. 3 (2020): 179-185

引用0浏览0引用

РЕАЛИЗАЦИЯ ПРОТОТИПА КВАНТОВОГО КОМПЬЮТЕРА И СИМУЛЯТОРА С УЛЬТРАХОЛОДНЫМИ АТОМАМИ В ОПТИЧЕСКИХ ЛОВУШКАХ

И.И. Рябцев,И.И. Бетеров, Д.Б. Третьяков, В.М. Этнин, Е.М. Якшина,И.Г. Неизвестный,А.В. Латышев,А.Л. Асеев

NANOINDUSTRY Russiano. 4s (2020): 644-645

引用0浏览0引用

Знакопеременная фотопроводимость в пленках PbSnTe : In в режиме тока, ограниченного пространственным зарядом

А.Н. Акимов,И.О. Ахундов,Д.В. Ищенко,А.Э. Климов,И.Г. Неизвестный,Н.С. Пащин,С.П. Супрун,А.С. Тарасов,О.Е. Терещенко,Е.В. Федосенко,В.Н. Шерстякова

Физика и техника полупроводниковno. 8 (2020)

引用0浏览0引用

НА ЗАРЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭРЫ К 100-летию со дня рождения академика А.В. Ржанова

И. Г. Неизвестный,А. Л. Асеев, А. В. Латышев

Вестник Российской академии наукno. 7 (2020): 688-694

引用0浏览0引用

О причине деградации буферных слоев CaF ₂ /BaF ₂ на Si (111)

И. Г. Неизвестный,Д. В. Ищенко,И. О. Ахундов,С. П. Супрун,О. Е. Терещенко

Доклады Российской академии наук. Физика, технические наукиno. 1 (2020)

引用0浏览0引用

Features of the Current Flow in Injection Structures Based on PbSnTe:In Films

D. V. Ishchenko,I. G. Neizvestnyi,N. S. Pashchin,V. N. Sherstyakova

Russian Microelectronics（2018）

引用0浏览0引用

加载更多

作者统计

合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

暂无相似学者，你可以通过学者研究领域进行搜索筛选

数据免责声明

页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cn