E. A. Surovegina - Institute for Physics of Microstructures, the Russian Academy of Sciences

基本信息

浏览量：1

职业迁徙

个人简介

暂无内容

研究兴趣

论文共 10 篇作者统计合作学者相似作者

按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选

Исследование структурных и морфологических свойств HPHT алмазных подложек

П.А. Юнин, П.В. Волков, Ю.Н. Дроздов, А.В. Колядин,С.А. Королев, Д.Б. Радищев,Е.А. Суровегина, В.И. Шашкин

Физика и техника полупроводниковno. 11 (2018)

引用0浏览0引用

Study of the Structural and Morphological Properties of HPHT Diamond Substrates

P. A. Yunin,P. V. Volkov,Yu. N. Drozdov,A. V. Koliadin,S. A. Korolev, D. B. Radischev,E. A. Surovegina,V. I. Shashkin

Semiconductors（2018）

引用6浏览0引用

Investigation of X-ray diffraction limitations upon the analysis of tellurium-atom injection into GaAs epitaxial layers

Yu. N. Drozdov,V. M. Danil’tsev,M. N. Drozdov,P. A. Yunin,E. V. Demidov, P. I. Folomin, A. B. Gritsenko,S. A. Korolev,E. A. Surovegina

Journal of Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques（2017）

引用1浏览0引用

Емкостная спектроскопия дырочных ловушек в высокоомных структурах арсенида галлия, выращенных жидкофазным методом

А.В. Мурель, В.Б. Шмагин, В.Л. Крюков, С.С. Стрельченко,Е.А. Суровегина, В.И. Шашкин

Физика и техника полупроводниковno. 11 (2017)

引用0浏览0引用

CVD diamond with boron-doped delta-layers deposited by microwave plasma

A. L. Vikharev,A. M. Gorbachev,M. A. Lobaev,D. B. Radishev,V. A. Isaev,S. A. Bogdanov,M. N. Drozdov,E. V. Demidov,E. A. Surovegina,V. I. Shashkin,P. A. Yunin,J. E. Butler

EPJ Web of Conferences (2017): 01010

引用0浏览0引用

Nanometric diamond delta doping with boron

James E. Butler,A. L. Vikharev,Alexei M. Gorbachev,M. A. Lobaev,A. B. Muchnikov, Dmitry Radischev,V. A. Isaev,V. V. Chernov,Sergey Bogdanov,Mikail Drozdov, Evgeniy A. Demidov,Ekaterina Surovegina,

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS（2017）

引用37浏览0引用

Erratum to: “Atomic composition and electrical characteristics of epitaxial CVD diamond layers doped with boron”

E. A. Surovegina,E. V. Demidov,M. N. Drozdov,A. V. Murel, O. I. Khrykin,V. I. Shashkin,M. A. Lobaev,A. M. Gorbachev, A. L. Viharev,S. A. Bogdanov,V. A. Isaev,A. B. Muchnikov,

Semiconductors（2017）

引用0浏览0引用

Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором

Е.А. Суровегина, Е.В. Демидов, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель,О.И. Хрыкин,В.И. Шашкин, М.А. Лобаев, А.М. Горбачев,А.Л. Вихарев, С.А. Богданов,В.А. Исаев,А.Б. Мучников,

Физика и техника полупроводниковno. 12 (2016)

引用0浏览0引用

Heavily doped GaAs:Te layers grown by MOVPE using diisopropyl telluride as a source

V. M. Daniltsev,E. V. Demidov,M. N. Drozdov,Yu. N. Drozdov, S. A. Kraev,E. A. Surovegina,V. I. Shashkin,P. A. Yunin

Semiconductors（2016）

引用4浏览0引用

Сильно легированные слои GaAs : Te, полученные в процессе МОГФЭ с использованием диизопропилтеллурида в качестве источника

В.М. Данильцев, Е.В. Демидов,М.Н. Дроздов,Ю.Н. Дроздов, С.А. Краев,Е.А. Суровегина,В.И. Шашкин, П.А. Юнин

Физика и техника полупроводниковno. 11 (2016): 1459

引用0浏览0引用

作者统计

合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

暂无相似学者，你可以通过学者研究领域进行搜索筛选

数据免责声明

页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cn