Z. F. Krasil’Nik - Institute for the Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences

基本信息

浏览量：23

职业迁徙

个人简介

暂无内容

研究兴趣

论文共 110 篇作者统计合作学者相似作者

按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选

Формирование Слоев InGaN Средних Составов Методом МПЭ ПА Для Лазерных Источников Красного И ИК Диапазона

Б.А. Андреев,Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова,К.Е. Кудрявцев,А.В. Новиков,П.А. Юнин,М.А. Калинников,Е.В. Скороходов,З.Ф. Красильник

Fizika i tehnika poluprovodnikovno. 7 (2022): 700-700

引用0浏览0引用

Особливості Зародження Та Упорядкування GeSi Наноострівців У Багатошарових Структурах, Сформованих На Si Та Si1-xGex Буферних Шарах

В.О. Юхимчук,М.Я. Валах,В.П. Кладько,М.В. Слободян,О.Й. Гудименко,З.Ф. Красильник, О.В. Новіков

Ukrainian journal of physicsno. 3 (2022): 254-254

引用0浏览0引用

Формирование Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии С Плазменной Активацией Азота Гетероструктур С Множественными Квантовыми Ямами InN/InGaN На Сапфире

М.А. Калинников,Д.Н. Лобанов,К.Е. Кудрявцев,Б.А. Андреев,П.А. Юнин,Л.В. Красильникова,А.В. Новиков,Е.В. Скороходов,З.Ф. Красильник

Fizika i tehnika poluprovodnikovno. 9 (2022): 848-848

引用0浏览0引用

PA MBE Growth of Intermediate-Composition InGaN Layers for Red and Near-Ir Laser Sources

Andreev B. A.,Lobanov D. N.,Krasil'nikova L. V.,Kudryavtsev K. E.,Novikov A. V.,Yunin P. A.,Kalinnikov M. A.,Skorohodov E. V.,Krasil’nik Z. F.

Fizika i tehnika poluprovodnikovno. 7 (2022): 496-496

引用0浏览0引用

Особенности Структурных И Оптических Свойств InGaN-слоев, Полученных Методом МПЭ ПА С Импульсной Подачей Потоков Металлов

Б.А. Андреев,Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова,К.Е. Кудрявцев,А.В. Новиков,П.А. Юнин,М.А. Калинников,Е.В. Скороходов,М.В. Шалеев,З.Ф. Красильник

Физика и техника полупроводниковno. 9 (2021)

引用0浏览0引用

Кинетика Люминесцентного Отклика Самоформирующихся Наноостровков Ge(Si), Встроенных В Двумерные Фотонные Кристаллы

А.Н. Яблонский,А.В. Новиков,М.В. Степихова,С.М. Сергеев,Н.А. Байдакова,М.В. Шалеев,З.Ф. Красильник

Физика и техника полупроводниковno. 10 (2020)

引用0浏览0引用

Рост интенсивности сигнала люминесценции самоформирующихся наноостровков Ge(Si) за счет взаимодействия их излучения с модами двумерных фотонных кристаллов

Д.В. Юрасов,А.В. Новиков, С.А. Дьяков,М.В. Степихова,А.Н. Яблонский,С.М. Сергеев,Д.Е. Уткин,З.Ф. Красильник

Физика и техника полупроводниковno. 8 (2020)

引用0浏览0引用

Явления усиления сигнала фотолюминесценции наноостровков Ge(Si) в фотонных кристаллах

А. Н. Яблонский, С. А. Дьяков,С. М. Сергеев,М. В. Шалеев,Д. В. Шенгуров,З. Ф. Красильник

Тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники «ФОТОНИКА-2019» (2019)

引用0浏览0引用

Emission Properties of Heavily Doped Epitaxial Indium-Nitride Layers

B. A. Andreev,D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova,P. A. Bushuykin,A. N. Yablonskiy,A. V. Novikov, V. Yu. Davydov,P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov,E. V. Skorohodov,Z. F. Krasil’nik

Semiconductors（2019）

引用2浏览0引用

Излучательные свойства сильно легированных эпитаксиальных слоев нитрида индия

Б.А. Андреев,Д.Н. Лобанов, Л.В. Красильникова,П.А. Бушуйкин,А.Н. Яблонский,А.В. Новиков,В.Ю. Давыдов,П.А. Юнин, М.И. Калинников,Е.В. Скороходов,З.Ф. Красильник

Физика и техника полупроводниковno. 10 (2019)

引用0浏览0引用

加载更多

作者统计

合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

暂无相似学者，你可以通过学者研究领域进行搜索筛选

数据免责声明

页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cn