基本信息
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职业迁徙
个人简介
许小亮教授自1989年起即开始从事固体中阴极射线荧光(CL)和光致荧光(PL)的研究。1991-1993年间,获国家自然科学基金的资助,主持半导体及其氧化物的光学跃迁的研究, 1994年赴香港大学后,亦继续从事这方面的研究,从96年起开始从事III-V族半导体GaN发光薄膜和InP的光学和电学性质的研究。
自1999年开始从事ZnO薄膜受激发射的研究,在n型Si衬底上用射频溅射法生长出ZnO同质p-n结, 其光学、电学特性优于日本研究人员用直流溅射法在n-Si生长的ZnO p-n同质结以及美国研究人员在GaAs上用热扩散法生长
的ZnO p-n同质结。
2002-2005年,参加863项目“新型近场光存储材料和器件”的预研究,在不同衬底上生长适用于近场光存储纳米金属或纳米半导体颗粒薄膜与自组装量子点,解决了控制纳米颗粒尺度大小的课题。此对于目前进行的近场增强效应和高疏水性防护薄膜研究的实际意义在于不同尺度的纳米金属颗粒的生长的可控性已基本得到了解决,利用金属量子点作为催化剂生长Cassie空间结构在望。
1999年以来在GaN和ZnO等理论、实验领域已发表文章40余篇,参与国家及省部级基金项目10余项,其中7项为负责人。主持的“Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体的电学输运和发光特性研究” 和“半导体光电功能材料InP,GaN和ZnO的研究” 分别于2003和2004年通过省级鉴定,鉴定意见为:“在理论和基础应用方面已达国际先进水平”,获2003年度安徽省高等学校优秀科技成果一等奖和2004年度安徽省科学技术(自然科学)二等奖。个人已发表论文论著83篇,其中SCI、EI收录论文48篇,SCI论文平均每篇影响因子为2.34; 1999年来发表的SCI论文被引用63篇次;课题组1998-2003发表SCI,EI收录的论文44篇,被引用120篇次,其中他引87次。
课题组从1999年就开始了纳米氧化锌、氧化硅等薄膜的电学、光学、热学以及结构特性的研究,已经掌握了多种在实验室生长纳米氧化锌薄膜的方法,如:直流磁控溅射、射频磁控溅射等物理成膜方法以及电泳法、溶胶-凝胶法、电沉积等化学液相成膜方法。可得到具有高的紫外和可见光透过率(大于90%)和较强的附着性能的薄膜,并有一定的自清洁和防风化的性能。并具备了一定的前期研究基础和基金资助(安徽省人才开发基金和安徽省科技创新基金)。具有较强的理论和实验基础。鉴于以上理由,利用我们数年来在纳米氧化锌薄膜制备的研究成果,计划在3年内,将制备薄膜技术实现由基础研究阶段向工业化生产阶段的过渡;在大型玻璃建材的制备过程中,采用纳米氧化锌基、氧化钛基复合防护薄膜技术,以增强建材的自清洁、抗风化及耐磨能力,同时达到降低成本、进一步推广应用的目的。
研究兴趣
论文共 184 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
Wangzhong Tang,Heng Cao,Peiyu Ma,Tao Ding, SiShi Huang,Jiajun Wang,Qunxiang Li,Xiaoliang Xu,Jinlong Yang
Nano lettersno. 17 (2024): 5317-5323
Wangzhong Tang,Jie Meng,Tao Ding,Haisen Huang,Chuntian Tan, Qingao Zhong,Heng Cao,Qunxiang Li,Xiaoliang Xu,Jinlong Yang
ACS Catalysispp.7506-7513, (2024)
SOLAR RRLno. 13 (2023)
引用0浏览0引用
0
0
JOURNAL OF POROUS MEDIAno. 12 (2023): 23-40
Materials Chemistry Frontiersno. 3 (2023): 523-534
引用3浏览0引用
3
0
Zhang Tao,Wei He,Xiaoliang Xu,Jianzhong Fan, Zhifeng Zhang, Ziyue Yang,Yanqiang Liu, Heng Ma,Miao Qian,Mu Yang
Materials (Basel, Switzerland)no. 13 (2023)
引用0浏览0WOS引用
0
0
Materials Chemistry Frontiersno. 3 (2023): 523-534
Chinese Physics Bno. 12 (2022)
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