基本信息
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职业迁徙
个人简介
Mohit D. Ganeriwala (S’–) received the B.Tech. degree from Nirma University, Ahmedabad, India, in 2012, and the M.Tech. degree in electrical engineering from the Indian Institute of Technology Gandhinagar, Gandhinagar, India, in 2015, where he is currently pursuing the Ph.D. degree in electrical engineering.
His research interests include nano-scale device physics and compact modeling and simulation of advanced semiconductor devices.
研究兴趣
论文共 19 篇作者统计合作学者相似作者
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合作机构
2024 8th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)pp.1-3, (2024)
arXiv (Cornell University) (2023)
引用0浏览0引用
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2022 IEEE International Conference on Emerging Electronics (ICEE)pp.1-5, (2022)
引用0浏览0EIWOS引用
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2019 IEEE Conference on Modeling of Systems Circuits and Devices (MOS-AK India)pp.11-16, (2019)
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