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Investigation of die-cost scaling scenarios in future technologies
Gioele Mirabelli, Yi-Pei Tsai,Yi-Han Chang,Dimitrios Velenis, Ryoung-Han Kim, James Myers,Lars-Ake Ragnarsson,Odysseas Zografos,Geert Hellings
DTCO and Computational Patterning III (2024)
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Variability in Planar FeFETs-Channel Percolation Impact
K. Kaczmarek,M. Garcia Bardon,Y. Xiang, N. Ronchi,L. -A. Ragnarsson, U. Celano,K. Banerjee,B. Kaczer,G. Groeseneken,J. Van Houdt
IEEE Transactions on Electron Devicesno. 7 (2023): 3928-3934
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Molybdenum Nitride as a Scalable and Thermally Stable pWFM for CFET
H. Arimura, S. Brus,J. Franco, Y. Oniki, A. Vandooren, T. Conard, B.-T. Chan, B. Kannan, M. Samiee, W. Li, P. Deminskyi, E. Shero,
VLSI Technology and Circuitspp.1-2, (2023)
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Environmental Impact of CMOS Logic Technologies
L-A Ragnarsson,M. Garcia Bardon,P. Wuytens,G. Mirabelli,D. Jang, G. Willems,A. Mallik,A. Spessot,J. Ryckaert,B. Parvais
2022 6th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM)pp.82-84, (2022)
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Low temperature source/drain epitaxy and functional silicides: essentials for ultimate contact scaling
C. Porret, J. L. Everaert, M. Schaekers,L. A. Ragnarsson,A. Hikavyy, E. Rosseel,G. Rengo,R. Loo,R. Khazaka,M. Givens, X. Piao, S. Mertens,
2022 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, IEDMpp.34.1.1-34.1.4, (2022)
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FinFETs with Thermally Stable RMG Gate Stack for Future DRAM Peripheral Circuits
E. Capogreco, H. Arimura,R. Ritzenthaler, S. Brus, Y. Oniki, E. Dupuy, F. Sebaai, D. Radisic, B. T. Chan,D. Zhou, V. Machkaoutsan, S. Yoon,
2022 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, IEDMpp.26.2.1-26.2.4, (2022)
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