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Improvement of Thermal Stability in Dual Mechanism Memory Using HfxAl1-xO Blocking Layer for 3D V-NAND Flash Application

Jun Hong Chu, Sheung Hun Kim, Changyeon Kang,Eui Joong Shin,Jaejoong Jeong,Youngkeun Park,Byung Jin Cho

IEEE Electron Device Letters（2024）

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关键词
3D V-NAND flash,Charge trap flash (CTF),ferroelectric memory,dual mechanism memory,HfxAl1-xO,memory window,thermal stability
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