【要点】：提出了一种新型的金属堆叠方案，通过在Ru层之间加入亚纳米级的TiN或W层（称为缺陷缓解层DML），有效降低直接金属刻蚀过程中线断缺陷，并提高电阻率均匀性及可靠性。
【方法】：在Ru层之间引入亚纳米级的TiN或W层作为DML，以减少直接金属刻蚀（DME）过程中Ru半达马斯肯（semi-D）线条的侧向攻击和线断缺陷。
【实验】：通过改变TiN-DML的厚度（t k），在AR4-6，CD6-11 nm，金属间距（MP）=18-26 nm的线条上实现了缺陷密度降低5倍，电阻率均匀性R的产量超过99%，标准偏差小于5%。在AR~6的线条上改进更为明显，且对于长度超过10 μm的线条，TiN-DML没有带来电阻率惩罚。热冲击可靠性测试显示了带有TiN-DML的HAR Ru线接口具有良好的质量。实验使用了特定的金属间距和线宽比的线条，具体数据集未提及。