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Defects Evolution in N-Type 4H-Sic Induced by Electron Irradiation and Annealing

Huifan Xiong, Xuesong Lu, Xu Gao,Yuchao Yan,Shuai Liu,Lihui Song,Deren Yang,Xiaodong Pi

JOURNAL OF SEMICONDUCTORS（2024）

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关键词
4H-SiC,deep level transient spectroscopy (DLTS),photoluminescence (PL),defects
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