MOCVD Epitaxial Growth and Characterization of Polar, Semipolar and Nonpolar InN Thin Films

利用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）技术，在不同晶面的蓝宝石（Al2O3）衬底上实现了极性（0002）面、半极性（11⁃22）面和非极性（11⁃20）面InN薄膜的外延生长，并通过多种表征手段对三个不同极性面InNè–„è†œçš„ç»“æž„å’Œå ‰å­¦ç‰¹æ€§è¿›è¡Œäº†ç³»ç»Ÿç ”ç©¶ã€‚X射线衍射（XRD）曲线展示了（0002）、（11⁃22）和（11⁃20）面InN较强的衍射峰，表明InNè–„è†œå ·æœ‰è¾ƒé«˜çš„æˆè†œè´¨é‡ã€‚é€šè¿‡æ‰«æç”µå­æ˜¾å¾®é•œï¼ˆSEM）表面图发现，极性（0002）面InNçš„è¡¨é¢å½¢è²Œè¾ƒå ‰æ»‘ï¼Œè€ŒåŠæžæ€§å’Œéžæžæ€§InNè¡¨é¢å‡å­˜åœ¨æœªå®Œå ¨åˆå¹¶çš„å­”æ´žã€‚å ‰è‡´å‘å ‰ï¼ˆPLï¼‰å ‰è°±å±•ç¤ºï¼Œä¸åŒæžæ€§é¢InN的峰值能量在0.63 eVé™„è¿‘ï¼Œå¹¶ä»Žæžæ€§ã€åŠæžæ€§åˆ°éžæžæ€§é€æ¸çº¢ç§»ã€‚æ­¤å¤–ï¼Œå¯è§âƒçº¢å¤–åˆ†å ‰å ‰åº¦è®¡æµ‹å¾—çš„é€å°„è°±æ˜¾ç¤ºï¼Œæžæ€§ï¼ˆ0002）面InN的吸收边约为0.85 eV，而半极性（11⁃22）面和非极性（11⁃20）面InN的吸收边约为0.78 eV，表明极性InNå ·æœ‰æ›´å¤§çš„æ–¯æ‰˜å ‹æ–¯ä½ç§»ã€‚