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Improvement of Fluorine Attack Induced Word-Line Leakage in 3D NAND Flash Memory

Fang Yu-Xuan,Xia Zhi-Liang,Tao Yang,Zhou Wen-Xi,Huo Zong-Liang

ACTA PHYSICA SINICA（2024）

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关键词
3D NAND flash memory,fluorine attacking,word-line leakage,low pressure annealing
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