660-V/1.99-mω.cm2 Low-Current-Collapse P-Gan/algan/gan HEMTs with Selective Regrowth AlN/AlGaN Strain Layers
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES（2024）
关键词
Current collapse,high electron mobility transistors (HEMTs),p-GaN gate,regrowth,strain enhancement layer
AI 理解论文
溯源树
样例
生成溯源树，研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要