Особенности Зарождения И Роста Нитевидных Нанокристаллов InGaN На Подложках SiC/Si Методом Хлорид-Гидридной ЭпитаксииС.А. Кукушкин,А.В. Осипов,А.В. Редьков,В.М. Стожаров,Е.В. Убыйвовк,Ш.Ш. ШарофидиновПисьма в журнал технической физики(2022)引用 0|浏览2暂无评分AI 理解论文溯源树样例生成溯源树,研究论文发展脉络Chat Paper正在生成论文摘要