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Transmission Electron Microscopy Study of Nonpolar a-Plane GaN Grown by Pendeo-Epitaxy on (11 2 0) 4H-SiC.

D. N. Zakharov,Z. Liliental-Weber, B. Wagner,Z. J. Reitmeier,E. A. Preble,R. F. Davis

MRS Online Proceedings Library（2005）

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