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在清言上使用

Channel Length Effect of P3HT:ZnO Hybrid Blend Layer on Electrical Characteristics of Thin-Film Transistors

Mohamadou Ba,Mohsen Erouel,Salaheddine Mansouri, Lotfi Chouiref, Maher Jdir,Lassaad El Mir

Sensors and actuators A, Physical(2023)

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关键词
P-type OTFT-P3HT:ZnO,Channel length variation effect,Good electrical parameters,Device efficiency
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