基于IPD工艺的低频宽带高增益功率放大器设计
Telecom World（2023）
摘要
介绍了一种覆盖P波段到S波段的低频GaN宽带高增益功率放大器的设计流程.通过采用集成无源器件(integrated passive device,IPD)技术,该放大器集成了驱动和末级功率放大器,其中末级功率放大器采用Lange电桥合成构成平衡结构.整个功率放大器在27.5 mm×30.6 mm×5.0 mm的载体尺寸内实现.测试结果显示在 0.8 GHz～2.7 GHz频带内饱和输出功率在 25.2～36.4 W,功率增益在 24～25.62 dB,功率附加效率大于40.7％,最高功率附加效率达到了53.5％.
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