ZnO基MIS结构器件制备工艺与性能实验设计
wf（2022）
摘要
基于第3代氧化物半导体材料设计了一种金属-绝缘体-半导体(MIS)结构器件制备与表征的综合性实验.通过金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在C面蓝宝石衬底上合成了ZnO/ZnMgO多量子阱/ZnO结构,采用磁控溅射法分别在300、400和500℃下沉积厚度为50 nm的MgO绝缘层.采用紫外曝光、电感耦合等离子体(ICP)刻蚀和电子束蒸发工艺制备了MIS结构器件,器件具有良好的整流特性.
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