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Growth Advancement of GaAs-Based BGaInAs Alloys Emitting at 1.3 mu m by Molecular Beam Epitaxy

Rasha H. El-Jaroudi,Kyle M. McNicholas,Herbert S. Maczko,Robert Kudrawiec,Seth R. Bank

CRYSTAL GROWTH & DESIGN（2022）

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关键词
molecular beam epitaxy,alloys,growth advancement,gaas-based
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