高效率小型化S波段160 W功率放大器载片研制
Telecom World（2021）
摘要
为了解决S波段160 W高效率功率放大器载片的小型化问题,本文采用GaN HEMT芯片和无源匹配电路,在混合集成电路工艺的基础上,以及脉宽2 ms、占空比10％的条件下,得出2.7～3.5 GHz频带内输出功率大于165 W、功率增益12 dB、功率附加效率大于67％的性能指标,这一产品的外形尺寸为10 mm×8 mm,可广泛应用于多种电子系统,希望本文提出的研究方法可为后续同类产品的研制提供参考.
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